Kontribusi pengguna Hartanto Wibowo

Cari kontribusitampilsembunyi

⧼contribs-top⧽

Alamat IP atau nama pengguna:

Ruang nama:

Balikkan pilihan

Ruangnama terkait

Filter tag:

Balikkan pilihan

Tampilkan hanya revisi terkini

Hanya tampilkan suntingan yang berupa pembuatan halaman

Sembunyikan suntingan kecil

⧼contribs-date⧽

Dari tanggal

Sampai tanggal

Show only edits pending review

08.2428 Mei 2024 08.24 beda riw +83‎ B Kategori:Transistor efek–medan ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Transistor Kategori:Jenis transistor Kategori:Jenis transistor' saat ini
07.2428 Mei 2024 07.24 beda riw +2.558‎ B MOSFET daya ‎ ←Membuat halaman berisi ''''MOSFET daya''' adalah jenis transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET) khusus yang dirancang untuk menangani tingkat daya yang signifikan. Dibandingkan dengan perangkat semikonduktor daya lainnya, seperti transistor bipolar gerbang terisolasi (IGBT) atau thyristor, keunggulan utamanya adalah kecepatan peralihan yang tinggi dan efisiensi yang baik pada tegangan rendah. Ia berbagi dengan IGBT sebuah gerbang terisolasi yang membuatnya mudah dik...' saat ini
07.1728 Mei 2024 07.17 beda riw +2.604‎ B Perangkat semikonduktor daya ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Perangkat semikonduktor daya''' adalah perangkat semikonduktor yang digunakan sebagai sakelar atau penyearah dalam elektronika daya (misalnya pada catu daya mode sakelar). Perangkat semacam itu juga disebut perangkat daya atau, bila digunakan dalam sirkuit terpadu, IC daya. Perangkat semikonduktor daya biasanya digunakan dalam "mode pergantian" (yaitu aktif atau nonaktif), dan oleh karena itu memiliki desain yang dioptimalkan untuk penggun...' saat ini
07.0128 Mei 2024 07.01 beda riw +90‎ B Kategori:Elektronika daya ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Industri elektronika Kategori:Elektronika Kategori:Teknik elektronika' saat ini

17.0927 Mei 2024 17.09 beda riw +26‎ B Kategori:Struktur semikonduktor ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Semikonduktor' saat ini
17.0927 Mei 2024 17.09 beda riw +41‎ B Kategori:Bahan fabrikasi semikonduktor ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Fabrikasi alat semikonduktor' saat ini
17.0427 Mei 2024 17.04 beda riw +6.512‎ B Gerbang oksida ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Gerbang oksida''' adalah lapisan dielektrik yang memisahkan terminal gerbang gate MOSFET (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor) dari terminal sumber source dan saluran drain pembuangan serta saluran konduktif yang menghubungkan sumber dan saluran pembuangan ketika transistor dihidupkan. Gerbang oksida dibentuk oleh oksidasi termal silikon saluran untuk membentuk lapisan isolasi silikon dioksida yang tipis (5 - 200 nm). Lapis...' saat ini Tag: pranala ke halaman disambiguasi

09.3126 Mei 2024 09.31 beda riw +2.181‎ B Tegangan ambang ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Tegangan ambang''' , biasa disingkat Vth atau VGS(th), dari transistor efek medan (FET) adalah tegangan gerbang-ke-sumber minimum (VGS) yang diperlukan untuk membuat jalur konduksi antara sumber dan terminal pembuangan. Ini merupakan faktor penskalaan yang penting untuk menjaga efisiensi daya. Ketika mengacu pada transistor efek medan persimpangan (JFET), tegangan ambang sering disebut tegangan pinch-off. Hal ini agak...' saat ini
09.1426 Mei 2024 09.14 beda riw +1.703‎ Pengemasan sirkuit terpadu ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini

08.5225 Mei 2024 08.52 beda riw −2‎ Kategori:Penguat transistor ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
08.5225 Mei 2024 08.52 beda riw +2‎ Kategori:Saklar solid state ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
08.4825 Mei 2024 08.48 beda riw +57‎ B Kategori:Penguat transistor ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Perangkat semikonduktor Kategori:Sakelar'
08.4825 Mei 2024 08.48 beda riw +55‎ B Kategori:Saklar solid state ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Transistor Kategori:Penguat elektronik'
08.4125 Mei 2024 08.41 beda riw +23‎ B Kategori:Reka cipta berdasarkan abad ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta' saat ini
08.4125 Mei 2024 08.41 beda riw +40‎ B Kategori:Penemuan abad ke-20 ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta berdasarkan abad' saat ini
08.3525 Mei 2024 08.35 beda riw +37‎ B Kategori:Perkenalan tahun 1960 ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Perkenalan menurut tahun' saat ini
08.3325 Mei 2024 08.33 beda riw +38‎ B Kategori:Penemuan Arab ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta menurut negara' saat ini
08.3325 Mei 2024 08.33 beda riw +38‎ B Kategori:Penemuan Korea Selatan ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Reka cipta menurut negara' saat ini
08.2725 Mei 2024 08.27 beda riw +7.752‎ B Daftar aplikasi MOSFET ‎ ←Membuat halaman berisi ''''MOSFET''' (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor) adalah jenis transistor efek medan gerbang terisolasi (IGFET) yang dibuat dengan oksidasi terkontrol dari semikonduktor, biasanya silikon. Tegangan gerbang tertutup menentukan konduktivitas listrik perangkat; kemampuan untuk mengubah konduktivitas dengan jumlah tegangan yang diberikan dapat digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. MOSFET adalah bahan penyusun dasar seba...' saat ini

06.3824 Mei 2024 06.38 beda riw +7.400‎ MOSFET ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini

18.1122 Mei 2024 18.11 beda riw +418‎ Fabrikasi semikonduktor ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
09.2622 Mei 2024 09.26 beda riw +3.120‎ Fabrikasi semikonduktor ‎Tidak ada ringkasan suntingan
06.3222 Mei 2024 06.32 beda riw +5.823‎ Fabrikasi semikonduktor ‎ →‎Sejarah transistor dan semikonduktor

17.5821 Mei 2024 17.58 beda riw +4.804‎ Fabrikasi semikonduktor ‎ →‎Fabrikasi semikonduktor wafer bolu "kue lapis" Tag: kemungkinan perlu dirapikan
14.1021 Mei 2024 14.10 beda riw +4.274‎ B Interkoneksi (sirkuit terpadu) ‎ ←Membuat halaman berisi 'Dalam sirkuit terpadu (IC), '''interkoneksi''' adalah struktur yang menghubungkan dua atau lebih elemen rangkaian (seperti transistor) secara elektrik. Desain dan tata letak interkoneksi pada IC sangat penting untuk fungsi, kinerja, efisiensi daya, keandalan, dan hasil fabrikasi yang tepat. Interkoneksi material yang dibuat bergantung pada banyak faktor. Kompatibilitas kimia dan mekanik dengan substrat [...' saat ini
09.0021 Mei 2024 09.00 beda riw +2.555‎ Fabrikasi semikonduktor ‎Tidak ada ringkasan suntingan

12.3620 Mei 2024 12.36 beda riw +3.513‎ B Effendi Leobandung ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Effendi Leobandung''' adalah seorang insinyur kelistrikan Indonesia, Amerika dan anggota Institut Insinyur Listrik dan Elektronika. Effendi lahir pada tanggal 26 Desember 1970 di Medan, Sumatera, Indonesia. Putra Leo dan Misna Bandung. Effendi Leobandung, seorang penemu produktif yang tinggal di Stormville, NY, telah menorehkan prestasi di bidang inovasi dan paten. Salah satu paten terbaru Leobandung bertajuk “Usage Metering...' saat ini
09.2920 Mei 2024 09.29 beda riw +53‎ B Kategori:Transistor bipolar ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Jenis transistor Kategori:Transistor' saat ini
09.2220 Mei 2024 09.22 beda riw +3.629‎ B Transistor kontak titik ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Transistor kontak titik''' adalah jenis transistor pertama yang berhasil didemonstrasikan. Ini dikembangkan oleh ilmuwan penelitian John Bardeen dan Walter Brattain di Bell Laboratories pada bulan Desember 1947. Mereka bekerja dalam kelompok yang dipimpin oleh fisikawan William Shockley. Kelompok ini telah bekerja sama dalam eksperimen dan teori efek medan listrik pada material padat, dengan tujuan mengganti tabung vakum dengan perangka...' saat ini
05.5720 Mei 2024 05.57 beda riw +79‎ Kristal tunggal ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
05.4320 Mei 2024 05.43 beda riw +5.034‎ B Kristal tunggal ‎ ←Membuat halaman berisi 'Dalam ilmu material, '''kristal tunggal''' (atau '''padatan kristal tunggal''' atau '''padatan monokristalin''' berelasi dengan silikon monokristalin) adalah bahan yang kisi kristal seluruh sampelnya kontinu dan tidak terputus hingga ke tepi sampel, tanpa batas butir. Tidak adanya cacat yang terkait dengan batas butir dapat memberikan sifat unik pada monokristal, terutama mekanik, optik, dan listrik, yang juga...'

06.3619 Mei 2024 06.36 beda riw +2.657‎ Back end of line (BEOL) ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
05.4619 Mei 2024 05.46 beda riw +33‎ B Fabrikasi alat semikonduktor ‎ ←Mengalihkan ke Fabrikasi semikonduktor saat ini Tag: Pengalihan baru
05.4519 Mei 2024 05.45 beda riw +6.510‎ B Back end of line (BEOL) ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Back end of line''' atau '''back end of line''' ( '''BEOL''' ) adalah suatu proses fabrikasi perangkat semikonduktor yang terdiri dari pengendapan lapisan interkoneksi logam ke dalam wafer yang sudah berpola perangkat. Ini adalah bagian kedua dari fabrikasi IC, setelah front end of line (FEOL). Di BEOL, masing-masing perangkat (transistor, kapasitor, resistor, dll.) dihubungkan satu sama lain sesuai dengan cara pemasangan...' Tag: kemungkinan perlu dirapikan
05.4219 Mei 2024 05.42 beda riw +5.580‎ B Front end of line (FEOL) ‎ ←Membuat halaman berisi ''''front end of line''' ('''FEOL''') adalah bagian pertama dari fabrikasi IC di mana masing-masing komponen (transistor, kapasitor, resistor, dll) dipola dalam substrat semikonduktor. FEOL umumnya mencakup semuanya hingga (tetapi tidak termasuk) pengendapan lapisan interkoneksi logam.<ref> {{cite book | title = Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology | edition = 2nd | author = Karen A. Reinhardt and Werner Kern | publisher =...' saat ini
03.4419 Mei 2024 03.44 beda riw +444‎ Wafer (elektronik) ‎ →‎Material wafer semikonduktor saat ini
03.3619 Mei 2024 03.36 beda riw +10.337‎ Wafer (elektronik) ‎Tidak ada ringkasan suntingan Tag: VisualEditor

21.5817 Mei 2024 21.58 beda riw +165‎ Kategori:Industri (ekonomika) ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
21.4717 Mei 2024 21.47 beda riw +185‎ Kategori:Manufaktur ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
21.3917 Mei 2024 21.39 beda riw +298‎ Original design manufacturer ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
21.3917 Mei 2024 21.39 beda riw +155‎ Produsen peralatan asli ‎ →‎Referensi saat ini

18.4112 Mei 2024 18.41 beda riw +4.907‎ B Pakan fosfat ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Pakan fosfat''' anorganik atau '''Inorganic feed phosphates''' ('''IFP''') adalah garam anorganik dari asam fosfat . Penggunaan fosfat pakan anorganik diperlukan untuk memenuhi kebutuhan fosfor untuk produksi hewan : untuk menjamin pertumbuhan, kesuburan dan perkembangan tulang yang optimal.<ref>{{Cite journal |last1=Grimbergen |first1=A. H. M. |last2=Cornelissen |first2=J. P. |last3=Stappers |first3=H. P. |dat...' saat ini Tag: kemungkinan perlu dirapikan
05.1712 Mei 2024 05.17 beda riw +5.423‎ Produsen peralatan asli ‎Tidak ada ringkasan suntingan
03.0612 Mei 2024 03.06 beda riw +548‎ Produsen peralatan asli ‎Tidak ada ringkasan suntingan

10.2210 Mei 2024 10.22 beda riw +3.335‎ B Sirkuit terpadu small outline ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Sirkuit terpadu small outline''' atau '''small outline integrated circuit''' ('''SOIC''') adalah kemasan sirkuit terintegrasi (IC) yang dipasang di permukaan yang menempati area sekitar 30–50% lebih kecil dari paket dual in-line (DIP) yang setara, dengan ketebalan tipikal 70% lebih sedikit. Mereka umumnya tersedia dalam pin-out yang sama dengan IC DIP mitranya. Konvensi penamaan paket adalah SOIC atau SO diikuti dengan jum...' saat ini

16.309 Mei 2024 16.30 beda riw +3.164‎ B Kemasan datar segi empat ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Kemasan datar segi empat''' atau '''quad flat package''' ('''QFP''') adalah kemasan sirkuit terpadu yang dipasang di permukaan dengan kaki pin kabel "sayap camar" yang memanjang dari keempat sisinya. Pemasangan soket pada paket semacam itu jarang terjadi dan pemasangan melalui lubang tidak dapat dilakukan. Versi yang berkisar antara 32 hingga 304 pin dengan pitch berkisar antara 0,4 hingga 1,0 mm adalah hal yang umum. Varian khusus lainnya termasuk low...' saat ini
16.239 Mei 2024 16.23 beda riw +36‎ Pin kisi susun ‎Tidak ada ringkasan suntingan saat ini
16.109 Mei 2024 16.10 beda riw +3.136‎ B Pin kisi susun ‎ ←Membuat halaman berisi ''''Pin grid array''' ('''PGA''') atau '''Pin kisi susun''' adalah jenis kemasan sirkuit terpadu teknologi lubang tembus (elektronik) dengan bentuk kotak bujur sangkar atau persegi panjang, dan pin-pinnya disusun dalam susunan teratur di bagian bawah paket. Pin biasanya diberi jarak 2,54 mm (0,1"), dan mungkin menutupi seluruh bagian bawah kemasan atau tidak.<ref name="Nath2017">{{cite book|author=Vijay Nath|title=Proceeding...'
10.439 Mei 2024 10.43 beda riw +2.257‎ B Kemasan garis ganda ‎ ←Membuat halaman berisi 'Dalam mikroelektronika, '''kemasan garis ganda''' atau '''kemasan in-line ganda''' ( '''DIP''' atau '''DIL''' ) adalah kemasan komponen elektronik dengan rumah persegi panjang dan dua baris pin penghubung listrik paralel. Paket tersebut dapat dipasang melalui lubang ke papan sirkuit tercetak (PCB) atau dimasukkan ke dalam soket. Format dual-inline ditemukan oleh Don Forbes, Rex Rice dan Bryant Rogers di Fairchild R&D pada tahun 1964, ketika terbatasny...' saat ini Tag: pranala ke halaman disambiguasi
08.019 Mei 2024 08.01 beda riw +117‎ B Kategori:Kemasan elektronik ‎ ←Membuat halaman berisi 'Kategori:Desain industri Kategori:Pengemasan Kategori:Kemasan (fabrikasi mikro) Kategori:Pembawa chip' saat ini

28 Mei 2024

27 Mei 2024

26 Mei 2024

25 Mei 2024

24 Mei 2024

22 Mei 2024

21 Mei 2024

20 Mei 2024

19 Mei 2024

17 Mei 2024

12 Mei 2024

10 Mei 2024

9 Mei 2024